AOD478 场效应管 AOS/万代 封装SMD 批次24+

AOD478 场效应管 AOS/万代 封装SMD 批次24+

价格 2.85
起订量 10㎡
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品牌 AOS/万代
型号 AOD478
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产品详情
品牌

AOS/万代

封装

SMD

批号

24+

数量

8607

制造商

Alpha&OmegaSemiconductorInc.

ProductStatus

在售

FET类型

N通道

漏源电压(Vdss)

100V

25°C时电流-连续漏极(Id)

2.5A(Ta),11A(Tc)

不同Id时Vgs(th)(最大值)

2.8V@250µA

Vgs(最大值)

±20V

功率耗散(最大值)

2.1W(Ta),45W(Tc)

工作温度

-55°C~175°C(TJ)

安装类型

表面贴装型

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

类型

分立半导体产品晶体管-FET,MOSFET-

型号

AOD478


技术参数

品牌:AOS/万代
型号:AOD478
封装:SMD
批号:24+
数量:8607
类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商:Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Product Status:在售
FET 类型:N 通道
漏源电压(Vdss):100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A(Ta),11A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):140 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):13 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):540 pF @ 50 V
功率耗散(最大值):2.1W(Ta),45W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

商家电话:
18926576168