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| 品牌 |
英飞凌 |
封装 |
SMD |
| 批号 |
24+ |
数量 |
7350 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
SOT-23-3 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
P-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
12V |
| Id-连续漏极电流 |
4.3A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
50mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
8V |
Qg-栅极电荷 |
10nC |
| Pd-功率耗散 |
1.3W |
配置 |
Single |
| 高度 |
1.1mm |
长度 |
2.9mm |
| 晶体管类型 |
1P-Channel |
宽度 |
1.3mm |
| 零件号别名 |
SP001577044 |
单位重量 |
1.400g |
| 型号 |
IRLML6401TRPBF |
|
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 |
| 型号： | IRLML6401TRPBF |
| 封装： | SMD |
| 批号： | 24+ |
| 数量： | 7350 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-23-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 12 V |
| Id-连续漏极电流： | 4.3 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 50 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 8 V |
| Qg-栅极电荷： | 10 nC |
| Pd-功率耗散： | 1.3 W |
| 配置： | Single |
| 高度： | 1.1 mm |
| 长度： | 2.9 mm |
| 晶体管类型： | 1 P-Channel |
| 宽度： | 1.3 mm |
| 零件号别名： | SP001577044 |
| 单位重量： | 1.400 g |
18926576168