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| 品牌 |
TOSHIBA |
封装 |
SMD |
| 批号 |
25+ |
数量 |
18324 |
| 制造商 |
Toshiba |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
技术 |
Si |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
SOT-723-3 |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
通道数量 |
1Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
20V |
Id-连续漏极电流 |
500mA |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
630mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
5V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
350mV |
Qg-栅极电荷 |
1.23nC |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
150mW |
| 通道模式 |
Enhancement |
商标名 |
U-MOSIII |
| 配置 |
Single |
高度 |
0.5mm |
| 长度 |
1.2mm |
系列 |
SSM3K36 |
| 晶体管类型 |
1N-channel |
宽度 |
0.8mm |
| 商标 |
Toshiba |
产品类型 |
MOSFET |
| 工厂包装数量 |
8000 |
子类别 |
MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间 |
75ns |
典型接通延迟时间 |
30ns |
| 单位重量 |
1.500mg |
型号 |
SSM3K36MFV,L3F |
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