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| 品牌 |
英飞凌 |
封装 |
SMD |
| 批号 |
24+ |
数量 |
9185 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
ThroughHole |
| 封装/箱体 |
TO-220-3 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
200V |
| Id-连续漏极电流 |
65A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
24mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-30V,+30V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.8V |
| Qg-栅极电荷 |
70nC |
最小工作温度 |
-40C |
| 最大工作温度 |
+175C |
Pd-功率耗散 |
330W |
| 通道模式 |
Enhancement |
配置 |
Single |
| 高度 |
15.65mm |
长度 |
10mm |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
宽度 |
4.4mm |
| 正向跨导-最小值 |
49S |
下降时间 |
31ns |
| 上升时间 |
20ns |
典型关闭延迟时间 |
21ns |
| 典型接通延迟时间 |
33ns |
单位重量 |
2g |
| 型号 |
IRFB4227PBF |
|
| 品牌： | INFINEON/英飞凌 |
| 型号： | IRFB4227PBF |
| 封装： | SMD |
| 批号： | 24+ |
| 数量： | 9185 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 200 V |
| Id-连续漏极电流： | 65 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 24 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.8 V |
| Qg-栅极电荷： | 70 nC |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 330 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 15.65 mm |
| 长度： | 10 mm |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 4.4 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 49 S |
| 下降时间： | 31 ns |
| 上升时间： | 20 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 21 ns |
| 典型接通延迟时间： | 33 ns |
| 单位重量： | 2 g |
18926576168