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地址： 中国 上海 闸北区上海市闸北区海宁路1399号金城大厦520室
| 品牌 |
STMicroelectronics |
型号 |
STP80NF55 |
| 数量 |
100 |
制造商 |
STMicroelectronics |
| 产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
是 |
| 安装风格 |
ThroughHole |
封装/箱体 |
TO-220-3 |
| 通道数量 |
1Channel |
晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
55V |
Id-连续漏极电流 |
80A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
5mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
2V |
Qg-栅极电荷 |
189nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+175C |
| Pd-功率耗散 |
300W |
配置 |
Single |
| 通道模式 |
Enhancement |
高度 |
15.75mm |
| 长度 |
10.4mm |
系列 |
STB80NF55,STP80NF55 |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
宽度 |
4.6mm |
| 正向跨导-最小值 |
150S |
下降时间 |
65ns |
| 上升时间 |
155ns |
典型关闭延迟时间 |
125ns |
技术参数
| 品牌： | STMicroelectronics |
| 型号： | STP80NF55 |
| 数量： | 100 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 55 V |
| Id-连续漏极电流： | 80 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 5 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2 V |
| Qg-栅极电荷： | 189 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 300 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 15.75 mm |
| 长度： | 10.4 mm |
| 系列： | STB80NF55, STP80NF55 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 4.6 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 150 S |
| 下降时间： | 65 ns |
| 上升时间： | 155 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 125 ns |
| 典型接通延迟时间： | 27 ns |
| 单位重量： | 330 mg |
16601736771