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地址： 中国 上海 闸北区上海市闸北区海宁路1399号金城大厦520室
| 品牌 |
INFINEON |
型号 |
IRF40R207 |
| 数量 |
100 |
类别 |
分立半导体产品晶体管-FET，MOSFET-单个 |
| 制造商 |
InfineonTechnologies |
系列 |
HEXFET®,StrongIRFET™ |
| 产品状态 |
在售 |
FET类型 |
N通道 |
| 漏源电压（Vdss） |
40V |
Vgs（最大值） |
±20V |
| 功率耗散（最大值） |
83W（Tc） |
工作温度 |
-55°C~175°C（TJ） |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
封装/外壳 |
TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63 |
技术参数
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | IRF40R207 |
| 数量： | 100 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 制造商： | Infineon Technologies |
| 系列： | HEXFET?, StrongIRFET? |
| 产品状态： | 在售 |
| FET 类型： | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss）： | 40 V |
| Vgs（最大值）： | ±20V |
| 功率耗散（最大值）： | 83W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
16601736771