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地址： 中国 上海 闸北区上海市闸北区海宁路1399号金城大厦520室
| 品牌 |
STMicroelectronics |
型号 |
STP18NM60N |
| 数量 |
100 |
制造商 |
STMicroelectronics |
| 产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
是 |
| 安装风格 |
ThroughHole |
封装/箱体 |
TO-220-3 |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
通道数量 |
1Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
600V |
Id-连续漏极电流 |
13A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
260mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
-25V,+25V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
2V |
Qg-栅极电荷 |
35nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
110W |
通道模式 |
Enhancement |
| 系列 |
STP18NM60N |
配置 |
Single |
| 下降时间 |
25ns |
上升时间 |
15ns |
| 晶体管类型 |
55ns |
典型关闭延迟时间 |
12ns |
| 典型接通延迟时间 |
2g |
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技术参数
| 品牌： | STMicroelectronics |
| 型号： | STP18NM60N |
| 数量： | 100 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-220-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 600 V |
| Id-连续漏极电流： | 13 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 260 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 25 V, + 25 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2 V |
| Qg-栅极电荷： | 35 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 110 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 系列： | STP18NM60N |
| 配置： | Single |
| 下降时间： | 25 ns |
| 上升时间： | 15 ns |
| 晶体管类型： | 55 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 12 ns |
| 典型接通延迟时间： | 2 g |
16601736771