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地址： 中国 上海 闸北区上海市闸北区海宁路1399号金城大厦520室
| 品牌 |
Vishay |
型号 |
SI2333DDS-T1-GE3 |
| 数量 |
500 |
制造商 |
Vishay |
| 产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
是 |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
SOT-23-3 |
| 晶体管极性 |
P-Channel |
通道数量 |
1Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
12V |
Id-连续漏极电流 |
6A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
23mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
-8V,+8V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
1V |
Qg-栅极电荷 |
9nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
1.7W |
通道模式 |
Enhancement |
| 配置 |
Single |
下降时间 |
20ns |
| 高度 |
1.45mm |
长度 |
2.9mm |
| 上升时间 |
24ns |
系列 |
SI2 |
| 晶体管类型 |
45ns |
典型关闭延迟时间 |
26ns |
| 典型接通延迟时间 |
1.6mm |
宽度 |
SI2333DDS-T1-BE3 |
技术参数
| 品牌： | Vishay |
| 型号： | SI2333DDS-T1-GE3 |
| 数量： | 500 |
| 制造商： | Vishay |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-23-3 |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 12 V |
| Id-连续漏极电流： | 6 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 23 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1 V |
| Qg-栅极电荷： | 9 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 1.7 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 下降时间： | 20 ns |
| 高度： | 1.45 mm |
| 长度： | 2.9 mm |
| 上升时间： | 24 ns |
| 系列： | SI2 |
| 晶体管类型： | 45 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 26 ns |
| 典型接通延迟时间： | 1.6 mm |
| 宽度： | SI2333DDS-T1-BE3 |
16601736771