IPG20N06S4L-26A Infineon(英飞凌) 场管效应 MOS管
IPG20N06S4L-26A Infineon(英飞凌) 场管效应 MOS管

IPG20N06S4L-26A Infineon(英飞凌) 场管效应 MOS管

价格 10.00
起订量 10㎡
货源所属商家已经过真实性核验
品牌 Infineon(英飞凌)
型号 IPG20N06S4L-26A
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产品详情
品牌

Infineon(英飞凌)

型号

IPG20N06S4L-26A

数量

5000

封装

TDSON-8

批号

22+

产品种类

MOSFET

技术

Si

安装风格

SMD/SMT

晶体管极性

N-Channel

通道数量

2Channel

Vds-漏源极击穿电压

60V

Id-连续漏极电流

20A

RdsOn-漏源导通电阻

26mOhms

Vgs-栅极-源极电压

-16V,+16V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.2V



制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 26 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V
Qg-栅极电荷: 15 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 33 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
下降时间: 10 ns
高度: 1 mm
长度: 5.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 1.5 ns
系列: OptiMOS-T2
5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 N-Channel
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
宽度: 5.15 mm
零件号别名: SP001023848 IPG20N06S4L26AATMA1
单位重量: 104.400 mg



商家电话:
18320997658