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| 品牌 |
ST/意法半导体 |
型号 |
STP55NF06L |
| 数量 |
8000 |
封装 |
TO-220-3 |
| 批号 |
22+ |
安装风格 |
ThroughHole |
| 产品种类 |
MOSFET |
Id-连续漏极电流 |
55A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
18mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
10V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
1V |
Qg-栅极电荷 |
27nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+175C |
| Pd-功率耗散 |
95W |
正向跨导-最小值 |
30S |
| 下降时间 |
20ns |
|
制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 55 A
Rds On-漏源导通电阻: 18 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 27 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 95 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
配置: Single
下降时间: 20 ns
正向跨导 - 最小值: 30 S
高度: 9.15 mm
长度: 10.4 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 100 ns
系列: STP55NF06L
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel Power MOSFET
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 40 ns
典型接通延迟时间: 20 ns
宽度: 4.6 mm
单位重量: 2 g
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