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地址： 中国 江苏 苏州市太平金瑞路1号
| 品牌 |
INFINEON/英飞凌 |
型号 |
IRFR4510PBF |
| 数量 |
9000 |
封装 |
TO-252 |
| 批号 |
22+ |
湿气敏感性等级（MSL） |
1（无限） |
| 产品族 |
晶体管-FET，MOSFET-单个 |
系列 |
HEXFET® |
| FET类型 |
N通道 |
漏源电压（Vdss） |
100V |
| Vgs（最大值） |
±20V |
功率耗散（最大值） |
143W（Tc） |
| 工作温度 |
-55°C~175°C（TJ） |
安装类型 |
表面贴装型 |
| 可售卖地 |
全国 |
|
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 63 A
Rds On-漏源导通电阻: 11.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 54 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 143 W
通道模式: Enhancement
商标名: StrongIRFET
封装: Tube
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 34 ns
正向跨导 - 最小值: 62 S
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 42 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: HEXFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 42 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: SP001564880
单位重量: 330 mg
18320997658