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| 型号 |
SI7431DP-T1-E3 |
包装 |
编带 |
| 最小包装量 |
3000 |
批号 |
23+ |
| 数量 |
60000 |
封装 |
PAK-SO-8 |
| 通道数量 |
1Channel |
晶体管极性 |
P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
200V |
RdsOn-漏源导通电阻 |
174mOhms |
| Id-连续漏极电流 |
3.8A |
Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
4V |
Qg-栅极电荷 |
135nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
5.4W |
通道模式 |
Enhancement |
18320997658