供应2-12寸氧化硅片 热氧化 可定制参数 高校科研所专供
磷化铟晶片lnP 光电元件 电子极限漂移速度高 耐辐射性好
FZ区熔硅片 高阻硅片非掺杂 太赫兹 绝缘硅片1 2 3 4 5 6 8寸 高纯度衬底
定制氧化硅片SiO2 热氧化 实验科研 PECVD 20nm至10um膜厚 1-12寸
供应6寸氮化硅片 低应力LPCVD参数均可定制 高校科研企业
外延硅片 外延片 半导体 Si衬底基片 外延厚度 尺寸可定制 加工镀膜刻蚀
供应8寸氧化硅片 热氧化 参数可定制 高校科研利器
半导体晶圆激光切割低应力氮化硅片Si3N4
半导体单晶 硅片 电镜 镀膜 涂胶 刻 键合外延快速热处理 1- 12寸
III-V化合物砷化铟InAs单晶片&外延片 2.3英寸
科研用GaAs 12346英寸 GaAs衬底 外延 刻蚀 光学应用
定制氧化硅片SiO2 热氧化 实验科研 PECVD
FZ区熔 高阻硅片非掺杂 太赫兹 绝缘硅片1 24 5 6 8寸 高纯度衬底
进口soi硅片 键合绝缘硅片 MEMS器件 4寸6寸8寸 低翘曲
氮化镓晶片GaN 尺寸1010.5mm,更大尺寸也可供应
硅片镀金 硅片玻璃 镀金加工 AFM 欧姆接触 导电基底
蓝宝石晶片 衬底 sapphire晶片 2-6英寸可切割
科研用GaAs 12346英寸 GaAs衬底 外延 刻蚀 光学应用
蓝宝石晶片 衬底 sapphire晶片 2-6英寸可切割
III-V化合物砷化铟InAs单晶片&外延片 2.3英寸