| 型号 |
HS-GaN |
类型 |
化合物半导体材料 |
| 产品名称 |
氮化镓晶片 |
牌号 |
氮化镓 |
| 用途 |
各种指标、满足各种应用 |
外观 |
圆形 |
| 密度 |
2.33 |
硬度 |
12 |
| 特性 |
N型、P型、本征半绝缘 |
电阻率 |
可选 |
| 产地 |
中国 |
规格尺寸 |
2 |
| 厂家 |
芜湖恒枢 |
|
氮化镓晶片GaN
芜湖恒枢科技供应纯GaN氮化镓晶片。
尺寸10*10.5mm,更大尺寸也可供应。
GaN氮化镓晶片常用于发光二极管的二元III / V直接带隙半导体。
该化合物是一种非常坚硬的材料，具有纤锌矿晶体结构。
其3.4 eV的宽带隙为光电，高功率和高频器件的应用提供了特殊的性能。
例如，GaN是使紫色（405nm）激光二极管成为可能的基板，而不使用非线性光学倍频。
它对电离辐射的敏感性很低（与其他III族氮化物一样），使其成为卫星太阳能电池阵列的合适材料。
由于设备在辐射环境中表现出稳定性，因此和太空应用也可能受益。
由于GaN晶体管可以在更高的温度下工作，并且工作电压比（GaAs）晶体管高得多，
因此它们可以在微波频率下制造理想的功率放大器。此外，GaN为THz器件提供了有前景的特性。
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