| 型号 |
HS-InAs |
类型 |
化合物半导体材料 |
| 材质 |
硅 |
产品名称 |
砷化铟晶片 |
| 牌号 |
砷化铟 |
用途 |
科研，光电子 |
| 外观 |
圆形 |
密度 |
2.33 |
| 硬度 |
12 |
特性 |
较高电子迁移率 |
| 电阻率 |
可选 |
产地 |
中国 |
| 规格尺寸 |
2 |
厂家 |
芜湖恒枢 |
芜湖恒枢科技供应砷化铟InAs 晶片。
尺寸：2,3英寸；
概述：InAs晶体具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效应和小的电阻温度系数，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。
InAs的发射波长3.34μm，在InAs衬底上能生长晶格匹配的In-GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。
应用：InAs可以生长InAsSb/InAsPSb、nAsPSb等异质结构材料，制作波长2-12μm的红外发光器件。
用InAs单晶衬底还可以外延生长InAsPSb超晶格结构材料，制作中红外量子级联激光器。这些红外器件在气体检测、低损耗光纤通信领域有良好的应用前景。
此外，InAs单晶具有很高的电子迁移率，是一种制作Hall器件的理想材料。
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