IPD50N10S3L-16 集成电路、MOS场效应管芯片、微控制器 INFINEON/英飞凌 封装TO-252
PK5G6EA MOS场效应管芯片电子元器件IC 尼克森/NIKO-SEM 封装PDFN 5x6
IPG20N10S4L-35 集成电路、场效应管芯片 INFINEON/英飞凌 封装TDSON8
IPB180N06S4H1ATMA2 MOSFET汽车二极管 TO-263-7 Infineon/英飞凌
PV551BA 场效应MOS管芯片 P沟道 电子元器件IC NIKO-SEM/尼克森 封装SOP8
STD86N3LH5 MOS场效应管芯片 ST(意法半导体) 封装DPAK TO-252 电子元器件IC
联系人：林浩
邮箱：
电话：15992538479
地址： 广东深圳市罗湖区东门街道城东社区中兴路239号外贸集团大厦2806-S42
| 品牌 |
Infineon(英飞凌) |
封装 |
N/A |
| 批次 |
22+ |
数量 |
50000 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
技术 |
Si |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
TO-252-3 |
| 晶体管极性 |
P-Channel |
通道数量 |
1Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
150V |
Id-连续漏极电流 |
13A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
580mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
| Qg-栅极电荷 |
44nC |
Pd-功率耗散 |
110W |
| 资格 |
AEC-Q101 |
配置 |
Single |
| 高度 |
2.3mm |
长度 |
6.5mm |
| 晶体管类型 |
1P-Channel |
宽度 |
6.22mm |
| 商标 |
Infineon/IR |
产品类型 |
MOSFET |
| 工厂包装数量 |
3000 |
子类别 |
MOSFETs |
| 零件号别名 |
AUIRFR6215TRLSP001522196 |
单位重量 |
2g |
15992538479