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| 品牌 |
英飞凌 |
封装 |
TDSON8 |
| 批次 |
22+ |
数量 |
30000 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
PG-TDSON-8 |
通道数量 |
2Channel |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
100V |
| Id-连续漏极电流 |
20A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
35mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
10V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.1V |
| Qg-栅极电荷 |
13.4nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+175C |
Pd-功率耗散 |
43W |
| 配置 |
Dual |
通道模式 |
Enhancement |
| 资格 |
AEC-Q101 |
高度 |
1.27mm |
| 长度 |
5.9mm |
系列 |
XPG20N10 |
| 晶体管类型 |
2N-Channel |
宽度 |
5.15mm |
| 下降时间 |
13ns |
上升时间 |
2ns |
15992538479