IPD50N10S3L-16 集成电路、MOS场效应管芯片、微控制器 INFINEON/英飞凌 封装TO-252
PK5G6EA MOS场效应管芯片电子元器件IC 尼克森/NIKO-SEM 封装PDFN 5x6
IPG20N10S4L-35 集成电路、场效应管芯片 INFINEON/英飞凌 封装TDSON8
PV551BA 场效应MOS管芯片 P沟道 电子元器件IC NIKO-SEM/尼克森 封装SOP8
STD86N3LH5 MOS场效应管芯片 ST(意法半导体) 封装DPAK TO-252 电子元器件IC
AUIRFR6215TRL MOS场效应管芯片 Infineon(英飞凌) 封装TO-252 电子元器件IC
联系人：林浩
邮箱：
电话：15992538479
地址： 广东深圳市罗湖区东门街道城东社区中兴路239号外贸集团大厦2806-S42
| 品牌 |
Infineon |
封装 |
TO-263-7 |
| 数量 |
30000 |
制造商 |
Infineon |
| 产品种类 |
MOSFET |
RoHS |
是 |
| 技术 |
Si |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
TO-263-7 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
60V |
| Id-连续漏极电流 |
180A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
1.7mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
Qg-栅极电荷 |
270nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+175C |
| Pd-功率耗散 |
250W |
通道模式 |
Enhancement |
| 资格 |
AEC-Q101 |
配置 |
Single |
| 高度 |
4.4mm |
长度 |
10mm |
| 系列 |
IPB180N06 |
晶体管类型 |
1N-Channel |
| 宽度 |
9.25mm |
商标 |
InfineonTechnologies |
| 产品类型 |
MOSFET |
工厂包装数量 |
1000 |
15992538479