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| 品牌 |
ON |
型号 |
NXV65HR82DZ1 |
| 最小包装量 |
12 |
技术 |
Si |
| 安装风格 |
ThroughHole |
封装 |
APMCA-16 |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
通道数量 |
4Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
650V |
Id-连续漏极电流 |
26A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
82mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
5V |
Qg-栅极电荷 |
79.7nC |
| 最小工作温度 |
-40C |
最大工作温度 |
+125C |
| Pd-功率耗散 |
126W |
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18320997658