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| 品牌 |
INFINEON/英飞凌 |
封装 |
SOT-23 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
4300 |
| 制造商 |
InfineonTechnologies |
系列 |
HEXFET® |
| FET类型 |
P通道 |
漏源电压（Vdss） |
20V |
| Vgs（最大值） |
±12V |
功率耗散（最大值） |
1.3W（Ta） |
| 工作温度 |
-55°C~150°C（TJ） |
安装类型 |
表面贴装型 |
| 封装/外壳 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
类型 |
分立半导体产品晶体管-FET，MOSFET-单个 |
| 型号 |
IRLML6402TRPBF |
|
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 3.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 65 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 8 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.3 W
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: MOSFET
6000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 1.3 mm
零件号别名: IRLML6402TRPBF SP001552740
单位重量: 8 mg
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