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| 品牌 |
TI/德州仪器 |
型号 |
CSD19531Q5A |
| 数量 |
5000 |
封装 |
VSONP-8 |
| 批号 |
22+ |
产品种类 |
MOSFET |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
100V |
| Id-连续漏极电流 |
100A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
6.4mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
2.7V |
| Qg-栅极电荷 |
37nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
|
制造商: Texas Instruments
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSONP-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.7 V
Qg-栅极电荷: 37 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 3.3 W
通道模式: Enhancement
商标名: NexFET
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Texas Instruments
配置: Single
下降时间: 5.2 ns
正向跨导 - 最小值: 82 S
高度: 1 mm
长度: 6 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 5.8 ns
系列: CSD19531Q5A
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 18.4 ns
典型接通延迟时间: 6 ns
宽度: 4.9 mm
单位重量: 87.800 mg
18320997658