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| 品牌 |
英飞凌 |
型号 |
IRLR2905 |
| 最小包装量 |
卷 |
极性 |
N |
| 封装 |
DPAK |
漏源击穿电压 |
55V |
| 导通电阻（10V) |
27.00mΩ |
导通电阻（4.5V) |
40.00mΩ |
| 标准QG（4.5V） |
23.00nC |
最小VGS(th) |
1.00V |
| 最大VGS(th) |
2.00V |
标准VGS(th) |
1.50V |
| 漏极电流 |
42.00A |
数量 |
100k |
| 批号 |
22+ |
|
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 42 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 48 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 110 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 15 ns
正向跨导 - 最小值: 21 S
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 84 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: IRLR2905TRLPBF SP001569030
单位重量: 330 mg
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