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| 品牌 |
INFINEON |
型号 |
IRFB4321PBF |
| 最小包装量 |
卷 |
封装 |
TO-220-3 |
| 批号 |
22+ |
数量 |
5000 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
ThroughHole |
| 封装/箱体 |
TO-220-3 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
150V |
| Id-连续漏极电流 |
83A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
12mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-30V,+30V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.8V |
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 150 V
Id-连续漏极电流: 83 A
Rds On-漏源导通电阻: 12 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V
Qg-栅极电荷: 71 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 330 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 15.65 mm
长度: 10 mm
产品类型: MOSFET
1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 4.4 mm
零件号别名: IRFB4321PBF SP001577790
单位重量: 2 g
18320997658