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| 品牌 |
INFINEON/英飞凌 |
型号 |
BSC123N08NS3GATMA1 |
| 数量 |
5000 |
封装 |
TDSON-8 |
| 批号 |
22+ |
产品种类 |
MOSFET |
| 技术 |
Si |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
通道数量 |
1Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
80V |
Id-连续漏极电流 |
55A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
12.3mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
2V |
Qg-栅极电荷 |
19nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
66W |
|
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TDSON-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 55 A
Rds On-漏源导通电阻: 12.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 19 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 66 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
商标: Infineon Technologies
配置: Single
开发套件: EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7
下降时间: 4 ns
正向跨导 - 最小值: 22 S
高度: 1.27 mm
长度: 5.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 18 ns
系列: OptiMOS 3
5000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 19 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
宽度: 5.15 mm
零件号别名: BSC123N08NS3 G SP000443916
单位重量: 104.400 mg
18320997658