ASMC苏州纳维科技有限公司致力于第三代半导体核心关键材料——氮化镓（GaN）单晶衬底的研发与产业化，经过10年努力，实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术，现在是国内一家、国际上少数几家之一能够批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位；氮化镓产品性能综合指标国际，未来3年重点实现将技术先发优势转化为在全球的市场优势。

苏州纳维科技有限公司成立于2007年，专注于高质量氮化镓半导体单晶材料的生长。氮化镓是第三代半导体的代表，它是节能照明、激光投影显示、智能电网、新能源汽车、5G通信等产业的核心基础材料，预计到2020年将形成万亿美元以上的市场规模。

苏州纳维创办以来，在江苏省重大成果转化项目、苏州市各级人才项目支持下，经过10年攻关完成了从材料生长设备的自主研发到GaN单晶衬底生长制备的完整工艺开发，2英寸GaN单晶衬底的位错密度降低到104cm2，达到水平，期间相继得到科技部863项目和国家发改委产业化示范项目的支持；近两年... 查看更多>