| 型号 |
CVD DIAMOND |
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| 产品名称： | CVD金刚石热沉片（Dia-Ra 30) |
| 生长方式： | MPCVD |
| 产品厚度： | 金刚石（diamond）0~500um |
| 厚度公差： | +/- 20um |
| 产品尺寸： | 1cm*1cm；2英寸 ； 可定制 |
| 表面粗糙度： | < 30 nm Ra |
| FWHM： | 0.354 |
| 热膨胀系数： | 1.3 (10-6K-1) |
| 热导率： | 1500±200W/m.K |
金刚石是一种性能优异的宽禁带半导体材料，优势诸多：
1.极高的热传导：热导率2200W/m.K ，室温下金刚石具有的热导率
2.极高的介质击穿特性：击穿电场为107V/cm，是GaAs的50倍，GaN的2倍，SiC的2.5倍
3.极高的功率容量：容许的功率使用容量是Si材料的2500倍以上；特别适合制作大功率电子器件
4.低的介电常数：介电常数为5.7，约为GaAs的1/2，比InP的一半还小
5.高饱和载流子速度：饱和载流子速度是GaAs、Si或InP的12.7倍，在电场强度增加时也维持高速率
6.高载流子迁移率：电子迁移率为4500c㎡/（V·s），高于绝大多数材料，适合制作高频电子器件
金刚石热沉片：
?热导率高达1500W/m.K
?高品质且成本可控
?可定制化
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