| 型号 |
低应力氮化硅片Si3N4 |
类型 |
元素半导体材料 |
| 材质 |
硅 |
产品名称 |
HS-SiN |
| 牌号 |
氮化硅片 |
用途 |
镀膜刻蚀纳米压印mems窗口 |
| 外观 |
圆形 |
密度 |
2.33 |
| 硬度 |
12 |
特性 |
双面氮化＆单面氮化＆金属化 |
| 电阻率 |
可选 |
产地 |
中国 |
| 规格尺寸 |
2 |
厂家 |
芜湖恒枢 |
低应力氮化硅片
芜湖恒枢科技加工、销售 氮化硅片。
尺寸： 2，3，4，6英寸；
工艺： LPCVD；LPCVD具有均匀性好，应力低，成膜质量好等优点，成本也较高；
氮化厚度：50nm、80nm、100nm、120nm、200nm、300nm、500nm、800nm、1um；
表面：单面抛光双面氮化、单面抛光单面氮化、双面抛光双面氮化；
硅片厚度：200um，500um等多种厚度；
应用：钝化膜、绝缘层、扩散掩膜。硅中的氮能提高硅单晶的强度，防止硅片翘曲，并能抑制微缺陷形成。用于半导体光刻、纳米压印、PVD/CVD镀膜、MEMS、半导体器件等领域；
供货能力：大量库存、参数齐全；当天出库；
订制能力： 各种参数均可订制。
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