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| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
原厂封装 |
| 批次 |
21+ |
数量 |
4680 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
ThroughHole |
| 封装/箱体 |
TO-247-3 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
650V |
| Id-连续漏极电流 |
31.2A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
99mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
3.5V |
| Qg-栅极电荷 |
118nC |
最小工作温度 |
-40C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
277.8W |
| 配置 |
Single |
通道模式 |
Enhancement |
| 高度 |
21.1mm |
长度 |
16.13mm |
| 系列 |
CoolMOSCFDA |
晶体管类型 |
1N-Channel |
| 宽度 |
5.21mm |
下降时间 |
6ns |
| 上升时间 |
11ns |
典型关闭延迟时间 |
68ns |
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | IPW65R110CFDAFKSA1 |
| 封装： | 原厂封装 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 4680 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 封装 / 箱体： | TO-247-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 650 V |
| Id-连续漏极电流： | 31.2 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 99 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 3.5 V |
| Qg-栅极电荷： | 118 nC |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 277.8 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 21.1 mm |
| 长度： | 16.13 mm |
| 系列： | CoolMOS CFDA |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 5.21 mm |
| 下降时间： | 6 ns |
| 上升时间： | 11 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 68 ns |
| 典型接通延迟时间： | 16 ns |
| 零件号别名： | IPW65R110CFDA SP000895236 IPW65R11CFDAXK |
| 单位重量： | 38 g |
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