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地址： 广东深圳市罗湖区东门街道城东社区中兴路239号外贸集团大厦2806-S42
| 品牌 |
ST |
封装 |
TO-252 |
| 批次 |
21+ |
数量 |
50000 |
| 制造商 |
STMicroelectronics |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
技术 |
Si |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
TO-252-3 |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
通道数量 |
1Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
900V |
Id-连续漏极电流 |
3A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
1.9Ohms |
Vgs-栅极-源极电压 |
-30V,+30V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
3V |
Qg-栅极电荷 |
5.3nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
60W |
通道模式 |
Enhancement |
| 商标名 |
MDmesh |
配置 |
Single |
| 系列 |
STD4N90K5 |
晶体管类型 |
1N-Channel |
| 商标 |
STMicroelectronics |
下降时间 |
25.5ns |
| 产品类型 |
MOSFET |
上升时间 |
11.8ns |
| 品牌： | ST |
| 型号： | STD4N90K5 |
| 封装： | TO-252 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 50000 |
| 制造商： | STMicroelectronics |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 900 V |
| Id-连续漏极电流： | 3 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 1.9 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 3 V |
| Qg-栅极电荷： | 5.3 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 60 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商标名： | MDmesh |
| 配置： | Single |
| 系列： | STD4N90K5 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 商标： | STMicroelectronics |
| 下降时间： | 25.5 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 11.8 ns |
| 工厂包装数量： | 2500 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 26.4 ns |
| 典型接通延迟时间： | 10.5 ns |
| 单位重量： | 340 mg |
15992538479