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| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
原厂封装 |
| 批次 |
21+ |
数量 |
4680 |
| 制造商 |
InfineonTechnologies |
系列 |
OptiMOS™ |
| FET类型 |
N通道 |
技术 |
MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) |
40A（Tc） |
不同Id时Vgs(th)（最大值） |
2.3V@20µA |
| Vgs（最大值） |
±20V |
FET功能 |
标准 |
| 功率耗散（最大值） |
46W（Tc） |
工作温度 |
-55°C~150°C（TJ） |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
供应商器件封装 |
PG-TSDSON-8-26 |
| 封装/外壳 |
8-PowerTDFN |
漏源电压（Vdss） |
60V |
| 基本产品编号 |
BSZ0703 |
可售卖地 |
全国 |
| 型号 |
BSZ0703LSATMA1 |
|
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | BSZ0703LSATMA1 |
| 封装： | 原厂封装 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 4680 |
| 制造商： | Infineon Technologies |
| 系列： | OptiMOS? |
| FET 类型： | N 通道 |
| 技术： | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 6.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 2.3V @ 20μA |
| Vgs（最大值）： | ±20V |
| FET 功能： | 标准 |
| 功率耗散（最大值）： | 46W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装： | PG-TSDSON-8-26 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 漏源电压（Vdss）： | 60V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）： | 13nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 1800pF @ 30V |
| 基本产品编号： | BSZ0703 |
15992538479