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| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
原厂封装 |
| 批次 |
21+ |
数量 |
4680 |
| 制造商 |
InfineonTechnologies |
系列 |
Automotive,AEC-Q101,HEXFET® |
| FET类型 |
N通道 |
25°C时电流-连续漏极(Id) |
2.3A(Ta) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) |
0.75V@11µA |
Vgs(最大值) |
±8V |
| 功率耗散(最大值) |
500mW(Ta) |
工作温度 |
-55°C~150°C(TJ) |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
封装/外壳 |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 漏源电压(Vdss) |
20V |
可售卖地 |
全国 |
| 型号 |
BSS806NEH6327XTSA1 |
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| 品牌: | INFINEON |
| 型号: | BSS806NEH6327XTSA1 |
| 封装: | 原厂封装 |
| 批次: | 21+ |
| 数量: | 4680 |
| 制造商: | Infineon Technologies |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101, HEXFET? |
| FET 类型: | N 通道 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.3A(Ta) |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 1.8V,2.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 57 毫欧 @ 2.3A,2.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 0.75V @ 11μA |
| Vgs(最大值): | ±8V |
| 功率耗散(最大值): | 500mW(Ta) |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 漏源电压(Vdss): | 20V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): | 1.7nC @ 2.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 529pF @ 10V |