GD/兆易创新 集成电路、处理器、微控制器 GD32F103CBT6 ARM微控制器 - MCU ARM CORTEX M3 MCU, LQFP48, Tra
LMP8601MAX 电子元器件 TI 封装HTSSOP 批次17+
IRID9670TPM20LINUXTOBO1 电子元器件 INFINEON 封装原厂封装 批次21+
KITDRIVER2EDF7275FTOBO1 电子元器件 INFINEON 封装原厂封装 批次21+
GigaDevice兆易创新 GD32F207VCT6 ARM微控制器 - MCU ARM CORTEX M3 MCU, LQFP100, Tr
2SK2925L 电子元器件 RENESAS 封装TO-251 批次21+
联系人:林浩
邮箱:
电话:15992538479
地址: 广东深圳市罗湖区东门街道城东社区中兴路239号外贸集团大厦2806-S42
| 品牌 |
AOS |
封装 |
TO-220F |
| 批次 |
21+ |
数量 |
16000 |
| 描述 |
MOSFETN-CH600V10ATO220F |
对无铅要求的达标情况 |
无铅 |
| 湿气敏感性等级(MSL) |
1(无限) |
详细描述 |
通孔-N-通道-600V-10A(Tc)-43W(Tc)-TO-22 |
| 数据列表 |
AOT(F)10T60; |
标准包装 |
TO220FPkgDrawing; |
| 包装 |
TO220FPkgDrawing; |
零件状态 |
50 |
| 产品族 |
停產 |
系列 |
分立半导体产品 |
| 其它名称 |
晶体管-FET,MOSFET-单个 |
FET类型 |
N通道 |
| 技术 |
MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) |
600V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) |
10A(Tc) |
不同Id时Vgs(th)(最大值) |
5V@250µA |
| Vgs(最大值) |
±30V |
功率耗散(最大值) |
43W(Tc) |
| 工作温度 |
-55°C~150°C(TJ) |
安装类型 |
通孔 |
| 供应商器件封装 |
TO-220-3F |
封装/外壳 |
TO-220-3整包 |
| 可售卖地 |
全国 |
类型 |
管件 |
| 型号 |
AOTF10T60 |
|

| 品牌: | AOS |
| 型号: | AOTF10T60 |
| 封装: | TO-220F |
| 批次: | 21+ |
| 数量: | 16000 |
| 描述: | MOSFET N-CH 600V 10A TO220F |
| 对无铅要求的达标情况: | 无铅 |
| 湿气敏感性等级 (MSL): | 1(无限) |
| 详细描述: | 通孔-N-通道-600V-10A(Tc)-43W(Tc)-TO-220-3F |
| 数据列表: | AOT(F)10T60; |
| 标准包装: | TO220F Pkg Drawing; |
| 包装: | TO220F Pkg Drawing; |
| 零件状态: | 50 |
| 类别: | 管件 |
| 产品族: | 停產 |
| 系列: | 分立半导体产品 |
| 其它名称: | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET(金属氧化物) |
| 漏源电压(Vdss): | 600V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10A(Tc) |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 700毫欧 @ 5A,10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): | 35nC @ 10V |
| Vgs(最大值): | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1346pF @ 100V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散(最大值): | 43W(Tc) |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220-3F |
| 封装/外壳: | TO-220-3 整包 |