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| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
TDSON-8 |
| 批次 |
21+ |
数量 |
48400 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
TSDSON-8 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
30V |
| Id-连续漏极电流 |
40A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
3.3mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.2V |
| Qg-栅极电荷 |
23nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
37W |
| 配置 |
Single |
通道模式 |
Enhancement |
| 高度 |
1.1mm |
长度 |
3.3mm |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
宽度 |
3.3mm |
| 正向跨导-最小值 |
41S |
下降时间 |
3ns |
| 上升时间 |
4.4ns |
典型关闭延迟时间 |
16ns |
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | BSZ0904NSI |
| 封装： | TDSON-8 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 48400 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TSDSON-8 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 40 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 3.3 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.2 V |
| Qg-栅极电荷： | 23 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 37 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 高度： | 1.1 mm |
| 长度： | 3.3 mm |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 3.3 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 41 S |
| 下降时间： | 3 ns |
| 上升时间： | 4.4 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 16 ns |
| 典型接通延迟时间： | 3.3 ns |
| 零件号别名： | BSZ0904NSIATMA1 SP000854390 BSZ94NSIXT BSZ0904NSIATMA1 |
| 单位重量： | 35.440 mg |
15992538479