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| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
TO252-3 |
| 批次 |
14+ |
数量 |
42500 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
TO-252-3 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
30V |
| Id-连续漏极电流 |
50A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
7.3mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+175C |
Pd-功率耗散 |
136W |
| 配置 |
Single |
通道模式 |
Enhancement |
| 资格 |
AEC-Q101 |
高度 |
2.3mm |
| 长度 |
6.5mm |
晶体管类型 |
1N-Channel |
| 宽度 |
6.22mm |
下降时间 |
30ns |
| 上升时间 |
40ns |
典型关闭延迟时间 |
26ns |
| 典型接通延迟时间 |
18ns |
零件号别名 |
IPD50N03S207ATMA1SP000254462IPD5N3S27XTIPD50N03 |
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | IPD50N03S2-07 |
| 封装： | TO252-3 |
| 批次： | 14+ |
| 数量： | 42500 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 50 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 7.3 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 136 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 高度： | 2.3 mm |
| 长度： | 6.5 mm |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 6.22 mm |
| 下降时间： | 30 ns |
| 上升时间： | 40 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 26 ns |
| 典型接通延迟时间： | 18 ns |
| 零件号别名： | IPD50N03S207ATMA1 SP000254462 IPD5N3S27XT IPD50N03S207ATMA1 |
| 单位重量： | 4 g |
15992538479