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| 品牌 |
Infineon |
封装 |
原厂封装 |
| 批次 |
21+ |
数量 |
6888 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
IGBT晶体管 |
| 技术 |
Si |
封装/箱体 |
TO-247-4 |
| 安装风格 |
ThroughHole |
配置 |
Single |
| 集电极—射极饱和电压 |
1.65V |
栅极/发射极最大电压 |
20V |
| 在25C的连续集电极电流 |
85A |
Pd-功率耗散 |
273W |
| 最小工作温度 |
-40C |
最大工作温度 |
+175C |
| 系列 |
TRENCHSTOP5H5 |
商标 |
InfineonTechnologies |
| 栅极—射极漏泄电流 |
100nA |
产品类型 |
IGBTTransistors |
| 工厂包装数量 |
240 |
子类别 |
IGBTs |
| 商标名 |
TRENCHSTOP |
零件号别名 |
IGZ50N65H5SP001160052 |
| 单位重量 |
6.163g |
可售卖地 |
全国 |
| 型号 |
IGZ50N65H5XKSA1 |
|
| 品牌： | Infineon |
| 型号： | IGZ50N65H5XKSA1 |
| 封装： | 原厂封装 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 6888 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | IGBT 晶体管 |
| 技术： | Si |
| 封装 / 箱体： | TO-247-4 |
| 安装风格： | Through Hole |
| 配置： | Single |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO： | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压： | 1.65 V |
| 栅极/发射极最大电压： | 20 V |
| 在25 C的连续集电极电流： | 85 A |
| Pd-功率耗散： | 273 W |
| 最小工作温度： | - 40 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| 系列： | TRENCHSTOP 5 H5 |
| 商标： | Infineon Technologies |
| 栅极—射极漏泄电流： | 100 nA |
| 产品类型： | IGBT Transistors |
| 工厂包装数量： | 240 |
| 子类别： | IGBTs |
| 商标名： | TRENCHSTOP |
| 零件号别名： | IGZ50N65H5 SP001160052 |
| 单位重量： | 6.163 g |
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