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| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
TO263-3 |
| 批次 |
2137+ |
数量 |
1000 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
TO-263-3 |
通道数量 |
1Channel |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
40V |
| Id-连续漏极电流 |
80A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
4.2mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
Qg-栅极电荷 |
33nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+175C |
| Pd-功率耗散 |
71W |
配置 |
Single |
| 资格 |
AEC-Q101 |
高度 |
4.4mm |
| 长度 |
10mm |
系列 |
OptiMOS-T2 |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
宽度 |
9.25mm |
| 下降时间 |
12ns |
上升时间 |
12ns |
| 典型关闭延迟时间 |
9ns |
典型接通延迟时间 |
10ns |
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | IPB80N04S4L-04 |
| 封装： | TO263-3 |
| 批次： | 2137+ |
| 数量： | 1000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-263-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 40 V |
| Id-连续漏极电流： | 80 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 4.2 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Qg-栅极电荷： | 33 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 71 W |
| 配置： | Single |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 高度： | 4.4 mm |
| 长度： | 10 mm |
| 系列： | OptiMOS-T2 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 9.25 mm |
| 下降时间： | 12 ns |
| 上升时间： | 12 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 9 ns |
| 典型接通延迟时间： | 10 ns |
| 零件号别名： | IPB80N04S4L04ATMA1 SP000646180 IPB8N4S4L4XT IPB80N04S4L04ATMA1 |
| 单位重量： | 4 g |
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