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| 品牌 |
ON |
封装 |
TO252 |
| 批次 |
2205+ |
数量 |
7940 |
| 制造商 |
ONSemiconductor |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
技术 |
Si |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
TO-252-3 |
| 通道数量 |
1Channel |
晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
80V |
Id-连续漏极电流 |
25A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
45mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
2V |
Qg-栅极电荷 |
14nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+175C |
| Pd-功率耗散 |
48.4W |
配置 |
Single |
| 通道模式 |
Enhancement |
资格 |
AEC-Q101 |
| 高度 |
4.83mm |
长度 |
10.67mm |
| 系列 |
FDD86381_F085 |
晶体管类型 |
1N-Channel |
| 宽度 |
9.65mm |
商标 |
ONSemiconductor/Fairchild |
| 品牌： | ON |
| 型号： | FDD86381-F085 |
| 封装： | TO252 |
| 批次： | 2205+ |
| 数量： | 7940 |
| 制造商： | ON Semiconductor |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252-3 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 80 V |
| Id-连续漏极电流： | 25 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 45 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2 V |
| Qg-栅极电荷： | 14 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 48.4 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 高度： | 4.83 mm |
| 长度： | 10.67 mm |
| 系列： | FDD86381_F085 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 9.65 mm |
| 商标： | ON Semiconductor / Fairchild |
| 下降时间： | 5 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 9 ns |
| 工厂包装数量： | 2500 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 14 ns |
| 典型接通延迟时间： | 8 ns |
| 零件号别名： | FDD86381_F085 |
| 单位重量： | 260.370 mg |
15992538479