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| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
原厂封装 |
| 批次 |
21+ |
数量 |
4680 |
| 制造商 |
InfineonTechnologies |
系列 |
HEXFET® |
| FET类型 |
N通道 |
25°C时电流-连续漏极(Id) |
162A（Tc） |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） |
4V@250µA |
Vgs（最大值） |
±20V |
| 功率耗散（最大值） |
3.8W（Ta），200W（Tc） |
工作温度 |
-55°C~175°C（TJ） |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
封装/外壳 |
TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263A |
| 漏源电压（Vdss） |
40V |
可售卖地 |
全国 |
| 型号 |
IRF1404SPBF |
|
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | IRF1404SPBF |
| 封装： | 原厂封装 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 4680 |
| 制造商： | Infineon Technologies |
| 系列： | HEXFET? |
| FET 类型： | N 通道 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 162A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 4 毫欧 @ 95A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 4V @ 250μA |
| Vgs（最大值）： | ±20V |
| 功率耗散（最大值）： | 3.8W（Ta），200W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 漏源电压（Vdss）： | 40V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）： | 200nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 7360pF @ 25V |
15992538479