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| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
SOT223 |
| 批次 |
21+ |
数量 |
48400 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
技术 |
GaN |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
SOT-223-4 |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
通道数量 |
1Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
100V |
Id-连续漏极电流 |
1.7A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
310mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
1.8W |
通道模式 |
Enhancement |
| 配置 |
Single |
高度 |
1.6mm |
| 长度 |
6.5mm |
产品 |
MOSFETSmallSignal |
| 系列 |
BSP372 |
晶体管类型 |
1N-Channel |
| 宽度 |
3.5mm |
商标 |
InfineonTechnologies |
| 下降时间 |
35ns |
产品类型 |
MOSFET |
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | BSP372 L6327 |
| 封装： | SOT223 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 48400 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | GaN |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-223-4 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 100 V |
| Id-连续漏极电流： | 1.7 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 310 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 1.8 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 1.6 mm |
| 长度： | 6.5 mm |
| 产品： | MOSFET Small Signal |
| 系列： | BSP372 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 3.5 mm |
| 商标： | Infineon Technologies |
| 下降时间： | 35 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 35 ns |
| 工厂包装数量： | 1000 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 110 ns |
| 典型接通延迟时间： | 20 ns |
| 零件号别名： | SP000016371 BSP372L6327HTSA1 |
| 单位重量： | 112 mg |
15992538479