pSemi PE29102A-X IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DIE
SIT8008AC-83-33E-24.000000Y 单片机MCU SITIME 封装SMD 批次21+
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STC12C4052-35I-SOP20G 单片机MCU STC 封装SOP20 批次21+
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| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
SOT23 |
| 批次 |
1243+ |
数量 |
6000 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
SOT-23-3 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
100V |
| Id-连续漏极电流 |
170mA |
RdsOn-漏源导通电阻 |
6Ohms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
360mW |
| 通道模式 |
Enhancement |
配置 |
Single |
| 高度 |
1.1mm |
长度 |
2.9mm |
| 系列 |
BSS123 |
晶体管类型 |
1N-Channel |
| 宽度 |
1.3mm |
下降时间 |
3.1ns |
| 上升时间 |
3.1ns |
典型关闭延迟时间 |
9.9ns |
| 典型接通延迟时间 |
2.7ns |
零件号别名 |
BSS123L6327HTSA1 |
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | BSS123 L6327 |
| 封装： | SOT23 |
| 批次： | 1243+ |
| 数量： | 6000 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-23-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 100 V |
| Id-连续漏极电流： | 170 mA |
| Rds On-漏源导通电阻： | 6 Ohms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 360 mW |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 1.1 mm |
| 长度： | 2.9 mm |
| 系列： | BSS123 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 1.3 mm |
| 下降时间： | 3.1 ns |
| 上升时间： | 3.1 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 9.9 ns |
| 典型接通延迟时间： | 2.7 ns |
| 零件号别名： | BSS123L6327HTSA1 |
| 单位重量： | 8 mg |
15992538479