GD/兆易创新 集成电路、处理器、微控制器 GD32F103CBT6 ARM微控制器 - MCU ARM CORTEX M3 MCU, LQFP48, Tra
LMP8601MAX 电子元器件 TI 封装HTSSOP 批次17+
IRID9670TPM20LINUXTOBO1 电子元器件 INFINEON 封装原厂封装 批次21+
KITDRIVER2EDF7275FTOBO1 电子元器件 INFINEON 封装原厂封装 批次21+
GigaDevice兆易创新 GD32F207VCT6 ARM微控制器 - MCU ARM CORTEX M3 MCU, LQFP100, Tr
2SK2925L 电子元器件 RENESAS 封装TO-251 批次21+
联系人：林浩
邮箱：
电话：15992538479
地址： 广东深圳市罗湖区东门街道城东社区中兴路239号外贸集团大厦2806-S42
| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
原厂封装 |
| 批次 |
21+ |
数量 |
4680 |
| 制造商 |
InfineonTechnologies |
系列 |
SIPMOS® |
| FET类型 |
2N-通道（双） |
FET功能 |
逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） |
60V |
25°C时电流-连续漏极(Id) |
2.6A |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） |
2V@20µA |
功率-最大值 |
2W |
| 工作温度 |
-55°C~150°C（TJ） |
安装类型 |
表面贴装型 |
| 封装/外壳 |
8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） |
可售卖地 |
全国 |
| 型号 |
BSO615NGHUMA1 |
|
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | BSO615NGHUMA1 |
| 封装： | 原厂封装 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 4680 |
| 制造商： | Infineon Technologies |
| 系列： | SIPMOS? |
| FET 类型： | 2 N-通道（双） |
| FET 功能： | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss）： | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 2.6A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 150 毫欧 @ 2.6A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 2V @ 20μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）： | 20nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 380pF @ 25V |
| 功率 - 最大值： | 2W |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
15992538479