GD/兆易创新 集成电路、处理器、微控制器 GD32F103CBT6 ARM微控制器 - MCU ARM CORTEX M3 MCU, LQFP48, Tra
LMP8601MAX 电子元器件 TI 封装HTSSOP 批次17+
IRID9670TPM20LINUXTOBO1 电子元器件 INFINEON 封装原厂封装 批次21+
KITDRIVER2EDF7275FTOBO1 电子元器件 INFINEON 封装原厂封装 批次21+
GigaDevice兆易创新 GD32F207VCT6 ARM微控制器 - MCU ARM CORTEX M3 MCU, LQFP100, Tr
2SK2925L 电子元器件 RENESAS 封装TO-251 批次21+
联系人：林浩
邮箱：
电话：15992538479
地址： 广东深圳市罗湖区东门街道城东社区中兴路239号外贸集团大厦2806-S42
| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
8TSDSON |
| 批次 |
2134+ |
数量 |
9560 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
TSDSON-8 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
250V |
| Id-连续漏极电流 |
10.9A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
146mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
2V |
| Qg-栅极电荷 |
11.4nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
62.5W |
| 通道模式 |
Enhancement |
配置 |
Single |
| 下降时间 |
4ns |
正向跨导-最小值 |
7S |
| 高度 |
1.1mm |
长度 |
3.3mm |
| 上升时间 |
4ns |
系列 |
OptiMOS3 |
| 晶体管类型 |
11ns |
典型关闭延迟时间 |
6ns |
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | BSZ16DN25NS3GATMA1 |
| 封装： | 8TSDSON |
| 批次： | 2134+ |
| 数量： | 9560 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TSDSON-8 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 250 V |
| Id-连续漏极电流： | 10.9 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 146 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 2 V |
| Qg-栅极电荷： | 11.4 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 62.5 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 下降时间： | 4 ns |
| 正向跨导 - 最小值： | 7 S |
| 高度： | 1.1 mm |
| 长度： | 3.3 mm |
| 上升时间： | 4 ns |
| 系列： | OptiMOS 3 |
| 晶体管类型： | 11 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 6 ns |
| 典型接通延迟时间： | 3.3 mm |
| 宽度： | BSZ16DN25NS3 G SP000781800 |
| 零件号别名： | 38.760 mg |
15992538479