IRF100P218XKMA1 电子元器件 INFINEON 封装原厂封装 批次21+

IRF100P218XKMA1 电子元器件 INFINEON 封装原厂封装 批次21+

价格 66.66
起订量 10㎡
货源所属商家已经过真实性核验
品牌 INFINEON
型号 IRF100P218XKMA1
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主营:
电子元器件

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产品详情
品牌

INFINEON

封装

原厂封装

批次

21+

数量

4680

制造商

InfineonTechnologies

系列

StrongIRFET™

FET类型

N通道

25°C时电流-连续漏极(Id)

209A(Tc)

不同Id时Vgs(th)(最大值)

3.8V@278µA

Vgs(最大值)

±20V

功率耗散(最大值)

556W(Tc)

工作温度

-55°C~175°C(TJ)

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-247-3

漏源电压(Vdss)

100V

可售卖地

全国

型号

IRF100P218XKMA1


技术参数

品牌:INFINEON
型号:IRF100P218XKMA1
封装:原厂封装
批次:21+
数量:4680
制造商:Infineon Technologies
系列:StrongIRFET?
FET 类型:N 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):209A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.28 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.8V @ 278μA
Vgs(最大值):±20V
功率耗散(最大值):556W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-247-3
漏源电压(Vdss):100V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):555nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):25000pF @ 50V

商家电话:
15992538479