GD/兆易创新 集成电路、处理器、微控制器 GD32F103CBT6 ARM微控制器 - MCU ARM CORTEX M3 MCU, LQFP48, Tra
LMP8601MAX 电子元器件 TI 封装HTSSOP 批次17+
IRID9670TPM20LINUXTOBO1 电子元器件 INFINEON 封装原厂封装 批次21+
KITDRIVER2EDF7275FTOBO1 电子元器件 INFINEON 封装原厂封装 批次21+
GigaDevice兆易创新 GD32F207VCT6 ARM微控制器 - MCU ARM CORTEX M3 MCU, LQFP100, Tr
2SK2925L 电子元器件 RENESAS 封装TO-251 批次21+
联系人:林浩
邮箱:
电话:15992538479
地址: 广东深圳市罗湖区东门街道城东社区中兴路239号外贸集团大厦2806-S42
| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
原厂封装 |
| 批次 |
21+ |
数量 |
4680 |
| 制造商 |
InfineonTechnologies |
系列 |
StrongIRFET™ |
| FET类型 |
N通道 |
25°C时电流-连续漏极(Id) |
209A(Tc) |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) |
3.8V@278µA |
Vgs(最大值) |
±20V |
| 功率耗散(最大值) |
556W(Tc) |
工作温度 |
-55°C~175°C(TJ) |
| 安装类型 |
通孔 |
封装/外壳 |
TO-247-3 |
| 漏源电压(Vdss) |
100V |
可售卖地 |
全国 |
| 型号 |
IRF100P218XKMA1 |
|

| 品牌: | INFINEON |
| 型号: | IRF100P218XKMA1 |
| 封装: | 原厂封装 |
| 批次: | 21+ |
| 数量: | 4680 |
| 制造商: | Infineon Technologies |
| 系列: | StrongIRFET? |
| FET 类型: | N 通道 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 209A(Tc) |
| 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 6V,10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 1.28 毫欧 @ 100A,10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3.8V @ 278μA |
| Vgs(最大值): | ±20V |
| 功率耗散(最大值): | 556W(Tc) |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 漏源电压(Vdss): | 100V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值): | 555nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 25000pF @ 50V |