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| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
SOT23 |
| 批次 |
21+ |
数量 |
48400 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
SOT-23-3 |
晶体管极性 |
N-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
55V |
| Id-连续漏极电流 |
540mA |
RdsOn-漏源导通电阻 |
346mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
-20V,+20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.2V |
| Qg-栅极电荷 |
1.7nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
360mW |
| 通道模式 |
Enhancement |
资格 |
AEC-Q101 |
| 配置 |
Single |
高度 |
1.1mm |
| 长度 |
2.9mm |
系列 |
BSS670S2 |
| 晶体管类型 |
1N-Channel |
宽度 |
1.3mm |
| 正向跨导-最小值 |
600mS |
下降时间 |
24ns |
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | BSS670S2L H6327 |
| 封装： | SOT23 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 48400 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-23-3 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 55 V |
| Id-连续漏极电流： | 540 mA |
| Rds On-漏源导通电阻： | 346 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.2 V |
| Qg-栅极电荷： | 1.7 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 360 mW |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 配置： | Single |
| 高度： | 1.1 mm |
| 长度： | 2.9 mm |
| 系列： | BSS670S2 |
| 晶体管类型： | 1 N-Channel |
| 宽度： | 1.3 mm |
| 正向跨导 - 最小值： | 600 mS |
| 下降时间： | 24 ns |
| 上升时间： | 25 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 21 ns |
| 典型接通延迟时间： | 9 ns |
| 零件号别名： | SP000928950 BSS67S2LH6327XT BSS670S2LH6327XTSA1 |
| 单位重量： | 8 mg |
15992538479