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| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
SOP8 |
| 批次 |
21+ |
数量 |
14772 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
技术 |
Si |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
SO-8 |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
通道数量 |
2Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
30V |
Id-连续漏极电流 |
9.3A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
12.5mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
1V |
Qg-栅极电荷 |
17nC,17nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
2W |
通道模式 |
Enhancement |
| 商标名 |
OptiMOS |
配置 |
Dual |
| 高度 |
1.75mm |
长度 |
4.9mm |
| 系列 |
OptiMOS3M |
晶体管类型 |
2N-Channel |
| 宽度 |
3.9mm |
商标 |
InfineonTechnologies |
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | BSO150N03MDGXUMA1 |
| 封装： | SOP8 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 14772 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SO-8 |
| 晶体管极性： | N-Channel |
| 通道数量： | 2 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 30 V |
| Id-连续漏极电流： | 9.3 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 12.5 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1 V |
| Qg-栅极电荷： | 17 nC, 17 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 2 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 商标名： | OptiMOS |
| 配置： | Dual |
| 高度： | 1.75 mm |
| 长度： | 4.9 mm |
| 系列： | OptiMOS 3M |
| 晶体管类型： | 2 N-Channel |
| 宽度： | 3.9 mm |
| 商标： | Infineon Technologies |
| 正向跨导 - 最小值： | 12 S, 12 S |
| 下降时间： | 4.2 ns, 4.2 ns |
| 湿度敏感性： | Yes |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 3.8 ns, 3.8 ns |
| 工厂包装数量： | 2500 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 8.7 ns, 8.7 ns |
| 典型接通延迟时间： | 7.3 ns, 7.3 ns |
| 零件号别名： | BSO150N03MD G SP000447476 |
| 单位重量： | 540 mg |
15992538479