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| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
原厂封装 |
| 批次 |
21+ |
数量 |
4680 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
安装风格 |
SMD/SMT |
| 封装/箱体 |
SOT-223-4 |
晶体管极性 |
P-Channel |
| 通道数量 |
1Channel |
Vds-漏源极击穿电压 |
60V |
| Id-连续漏极电流 |
1.1A |
RdsOn-漏源导通电阻 |
750mOhms |
| Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
Vgsth-栅源极阈值电压 |
-1V |
| Qg-栅极电荷 |
-4nC |
最小工作温度 |
-55C |
| 最大工作温度 |
+150C |
Pd-功率耗散 |
4.2W |
| 通道模式 |
Enhancement |
配置 |
Single |
| 系列 |
ISP06P009 |
晶体管类型 |
1P-Channel |
| 正向跨导-最小值 |
1.8S |
下降时间 |
14ns |
| 上升时间 |
5ns |
典型关闭延迟时间 |
40ns |
| 典型接通延迟时间 |
3ns |
零件号别名 |
ISP75DP06LMSP004987274 |
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | ISP75DP06LMXTSA1 |
| 封装： | 原厂封装 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 4680 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SOT-223-4 |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 60 V |
| Id-连续漏极电流： | 1.1 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 750 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | - 1 V |
| Qg-栅极电荷： | - 4 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 4.2 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 系列： | ISP06P009 |
| 晶体管类型： | 1 P-Channel |
| 正向跨导 - 最小值： | 1.8 S |
| 下降时间： | 14 ns |
| 上升时间： | 5 ns |
| 典型关闭延迟时间： | 40 ns |
| 典型接通延迟时间： | 3 ns |
| 零件号别名： | ISP75DP06LM SP004987274 |
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