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联系人：林浩
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| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
原厂封装 |
| 批次 |
21+ |
数量 |
4680 |
| 描述 |
MOSFETNCH60V195AD2PAK |
湿气敏感性等级（MSL） |
1（无限） |
| 详细描述 |
表面贴装型-N-通道-60V-195A（Tc）-375W（T |
数据列表 |
IRF(B,S,SL)7530PbF; |
| 标准包装 |
1,000 |
包装 |
管件 |
| 零件状态 |
Digi-Key停产 |
产品族 |
晶体管-FET，MOSFET-单个 |
| 系列 |
HEXFET®，StrongIRFET™ |
其它名称 |
SP001552334 |
| FET类型 |
N通道 |
技术 |
MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） |
60V |
25°C时电流-连续漏极(Id) |
195A（Tc） |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） |
3.7V@250µA |
Vgs（最大值） |
±20V |
| 功率耗散（最大值） |
375W（Tc） |
工作温度 |
-55°C~175°C（TJ） |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
供应商器件封装 |
D2PAK |
| 封装/外壳 |
TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263A |
可售卖地 |
全国 |
| 类型 |
分立半导体产品 |
型号 |
IRFS7530PBF |
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | IRFS7530PBF |
| 封装： | 原厂封装 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 4680 |
| 描述： | MOSFET N CH 60V 195A D2PAK |
| 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况： | 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 |
| 湿气敏感性等级 （MSL）： | 1（无限） |
| 详细描述： | 表面贴装型-N-通道-60V-195A（Tc）-375W（Tc）-D2PAK |
| 数据列表： | IRF(B,S,SL)7530PbF; |
| 标准包装： | 1,000 |
| 包装： | 管件 |
| 零件状态： | Digi-Key 停产 |
| 类别： | 分立半导体产品 |
| 产品族： | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 |
| 系列： | HEXFET?，StrongIRFET? |
| 其它名称： | SP001552334 |
| FET 类型： | N 通道 |
| 技术： | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）： | 60V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： | 195A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： | 2 毫欧 @ 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： | 3.7V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）： | 411nC @ 10V |
| Vgs（最大值）： | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 13703pF @ 25V |
| FET 功能： | - |
| 功率耗散（最大值）： | 375W（Tc） |
| 工作温度： | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装： | D2PAK |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
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