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| 品牌 |
INFINEON |
封装 |
原厂封装 |
| 批次 |
21+ |
数量 |
4680 |
| 制造商 |
Infineon |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
技术 |
Si |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
TO-252-3 |
| 晶体管极性 |
P-Channel |
通道数量 |
1Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
100V |
Id-连续漏极电流 |
15A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
160mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
20V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
4V |
Qg-栅极电荷 |
48nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+175C |
| Pd-功率耗散 |
128W |
通道模式 |
Enhancement |
| 配置 |
Single |
高度 |
2.3mm |
| 长度 |
6.5mm |
系列 |
XPD15P10 |
| 晶体管类型 |
1P-Channel |
宽度 |
6.22mm |
| 商标 |
InfineonTechnologies |
正向跨导-最小值 |
4.7S |
| 品牌： | INFINEON |
| 型号： | SPD15P10PGBTMA1 |
| 封装： | 原厂封装 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 4680 |
| 制造商： | Infineon |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | TO-252-3 |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| 通道数量： | 1 Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 100 V |
| Id-连续漏极电流： | 15 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 160 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 20 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 4 V |
| Qg-栅极电荷： | 48 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 175 C |
| Pd-功率耗散： | 128 W |
| 通道模式： | Enhancement |
| 配置： | Single |
| 高度： | 2.3 mm |
| 长度： | 6.5 mm |
| 系列： | XPD15P10 |
| 晶体管类型： | 1 P-Channel |
| 宽度： | 6.22 mm |
| 商标： | Infineon Technologies |
| 正向跨导 - 最小值： | 4.7 S |
| 下降时间： | 16 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 23 ns |
| 工厂包装数量： | 2500 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 33 ns |
| 典型接通延迟时间： | 9.5 ns |
| 零件号别名： | SPD15P10P G SP000212233 |
| 单位重量： | 4 g |
15992538479