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地址： 广东深圳市罗湖区东门街道城东社区中兴路239号外贸集团大厦2806-S42
| 品牌 |
安森美 |
封装 |
sot-23 |
| 批次 |
22+ |
数量 |
30000 |
| 制造商 |
onsemi |
FET类型 |
P通道 |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) |
30V |
电阻-RDS(On) |
300Ohms |
| 功率-最大值 |
225mW |
工作温度 |
-55°C~150°C（TJ） |
| 安装类型 |
表面贴装型 |
封装/外壳 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 可售卖地 |
全国 |
类型 |
分立半导体产品晶体管-JFET |
| 型号 |
MMBFJ177LT1G |
|
| 品牌： | ON/安森美 |
| 型号： | MMBFJ177LT1G |
| 封装： | sot-23 |
| 批次： | 22+ |
| 数量： | 30000 |
| 类别： | 分立半导体产品 晶体管 - JFET |
| 制造商： | onsemi |
| FET 类型： | P 通道 |
| 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)： | 30 V |
| 不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss)： | 1.5 mA @ 15 V |
| 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)： | 800 mV @ 10 nA |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： | 11pF @ 10V（VGS） |
| 电阻 - RDS(On)： | 300 Ohms |
| 功率 - 最大值： | 225 mW |
| 工作温度： | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型： | 表面贴装型 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
15992538479