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| 品牌 |
DIODES |
封装 |
SOP8 |
| 批次 |
21+ |
数量 |
46500 |
| 制造商 |
DiodesIncorporated |
产品种类 |
MOSFET |
| RoHS |
是 |
技术 |
Si |
| 安装风格 |
SMD/SMT |
封装/箱体 |
SO-8 |
| 通道数量 |
1Channel |
晶体管极性 |
P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
40V |
Id-连续漏极电流 |
10.1A |
| RdsOn-漏源导通电阻 |
15mOhms |
Vgs-栅极-源极电压 |
10V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 |
1.5V |
Qg-栅极电荷 |
47.5nC |
| 最小工作温度 |
-55C |
最大工作温度 |
+150C |
| Pd-功率耗散 |
1.82W |
配置 |
Single |
| 通道模式 |
Enhancement |
资格 |
AEC-Q101 |
| 高度 |
1.5mm |
长度 |
4.95mm |
| 产品 |
MOSFET |
系列 |
DMP4015 |
| 晶体管类型 |
1P-Channel |
宽度 |
3.95mm |
| 品牌： | DIODES |
| 型号： | DMP4015SSSQ-13 |
| 封装： | SOP8 |
| 批次： | 21+ |
| 数量： | 46500 |
| 制造商： | Diodes Incorporated |
| 产品种类： | MOSFET |
| RoHS： | 是 |
| 技术： | Si |
| 安装风格： | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体： | SO-8 |
| 通道数量： | 1 Channel |
| 晶体管极性： | P-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压： | 40 V |
| Id-连续漏极电流： | 10.1 A |
| Rds On-漏源导通电阻： | 15 mOhms |
| Vgs - 栅极-源极电压： | 10 V |
| Vgs th-栅源极阈值电压： | 1.5 V |
| Qg-栅极电荷： | 47.5 nC |
| 最小工作温度： | - 55 C |
| 最大工作温度： | + 150 C |
| Pd-功率耗散： | 1.82 W |
| 配置： | Single |
| 通道模式： | Enhancement |
| 资格： | AEC-Q101 |
| 高度： | 1.5 mm |
| 长度： | 4.95 mm |
| 产品： | MOSFET |
| 系列： | DMP4015 |
| 晶体管类型： | 1 P-Channel |
| 类型： | Enhancement Mode |
| 宽度： | 3.95 mm |
| 商标： | Diodes Incorporated |
| 正向跨导 - 最小值： | 26 S |
| 下降时间： | 137.9 ns |
| 产品类型： | MOSFET |
| 上升时间： | 10 ns |
| 工厂包装数量： | 2500 |
| 子类别： | MOSFETs |
| 典型关闭延迟时间： | 302.7 ns |
| 典型接通延迟时间： | 13.2 ns |
| 单位重量： | 74 mg |
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